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Laser damage resistance studies have been performed at 308 nm (XeCl laser) by the photoacoustic beam deflection technique, on hafnium dioxide (HfO2) thin films deposited on fused silica substrates either by the ion-assisted electron beam evaporation technique or by a dual-ion-beam sputtering technique. Films of quite high laser damage threshold (7 J/cm(2)) have been deposited by the electron beam evaporation technique. The optical and structural film characteristics and their relation to damage threshold have also been investigated. (C) 2000 Published by Elsevier Science S.A. All rights reserved.
HfO2 films with high laser damage threshold
Alvisi M;Di Giulio M;Marrone SG;Perrone MR;Protopapa ML;VALENTINI, Antonio;Vasanelli L.
2000
Abstract
Laser damage resistance studies have been performed at 308 nm (XeCl laser) by the photoacoustic beam deflection technique, on hafnium dioxide (HfO2) thin films deposited on fused silica substrates either by the ion-assisted electron beam evaporation technique or by a dual-ion-beam sputtering technique. Films of quite high laser damage threshold (7 J/cm(2)) have been deposited by the electron beam evaporation technique. The optical and structural film characteristics and their relation to damage threshold have also been investigated. (C) 2000 Published by Elsevier Science S.A. All rights reserved.
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: http://hdl.handle.net/11586/55306
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simulazione ASN
Il report seguente simula gli indicatori relativi alla propria produzione scientifica in relazione alle soglie ASN 2021-2023 del proprio SC/SSD. Si ricorda che il superamento dei valori soglia (almeno 2 su 3) è requisito necessario ma non sufficiente al conseguimento dell'abilitazione. La simulazione si basa sui dati IRIS e sugli indicatori bibliometrici alla data indicata e non tiene conto di eventuali periodi di congedo obbligatorio, che in sede di domanda ASN danno diritto a incrementi percentuali dei valori. La simulazione può differire dall'esito di un’eventuale domanda ASN sia per errori di catalogazione e/o dati mancanti in IRIS, sia per la variabilità dei dati bibliometrici nel tempo. Si consideri che Anvur calcola i valori degli indicatori all'ultima data utile per la presentazione delle domande.
La presente simulazione è stata realizzata sulla base delle specifiche raccolte sul tavolo ER del Focus Group IRIS coordinato dall’Università di Modena e Reggio Emilia e delle regole riportate nel DM 589/2018 e allegata Tabella A. Cineca, l’Università di Modena e Reggio Emilia e il Focus Group IRIS non si assumono alcuna responsabilità in merito all’uso che il diretto interessato o terzi faranno della simulazione. Si specifica inoltre che la simulazione contiene calcoli effettuati con dati e algoritmi di pubblico dominio e deve quindi essere considerata come un mero ausilio al calcolo svolgibile manualmente o con strumenti equivalenti.
